高效率、大功率
■专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，改善EMI特性；
■支持CCM/QR混合模式；
■支持最大140KHz工作频率；
■兼顾E-Mode GaN FET及超结MOSFET（COOLMOS）驱动设计，可直接驱动E-Mode GaN功率器件，省去外置驱动器件。
超低待机功耗
■ 内置700V高压启动；
■ 集成X-CAP放电功能；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 待机功耗<65mW。
优异的性能
■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
原理图
产品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）
能效测试
待机功耗
ZVS高低压补偿及实测波形
